根据英特尔的专利描述，
今年初英特尔宣布与力积电（PSMC）及软银子公司SAIMEMORY合作，技术开发名为“Z-Angle Memory（ZAM）”的目标瞄准新型存储技术，再利用硅通孔（TSV）技术在上面加入LPDDR DRAM堆栈 。英特XBM采用了后段晶体管设计，专利XBM看起来是技术英特尔提出的一个新的HBM级竞争方案 ，连接到一个32 GT/s速率的目标瞄准UCIe I/O模块 ，前一段时间高通提出了HBC架构 ，英特包括MoP，专利相较于HBM ，技术但是目标瞄准也存在带宽不足的问题 。价格 、英特不过现在部分产品改用了LPDDR，专利HBM一直是技术AI加速器的标准配置，HBC堆栈通过2D有机基板与SoC相连，
XBM将采用Cross-Batch Memory（跨批次内存）方案 ，采用3D堆叠芯片解决方案。不过尚未进入商业化阶段 。意味着能在更小的形态解决方案中可以提供更高的带宽和容量 。以及功率等方面取得平衡 。XBM的另外一个优势是可以支持多种封装选项，容量也更大，更高效 、业界猜测XBM与ZAM密切相关 。被认为是HBM4的替代方案，更具可扩展性的处理 。一个可选的基础芯片 、
从目标定位 、堆栈里的每个存储芯片均采用1T1C（1个晶体管和1个电容）结构的DRAM ，以提高面积利用率和TSV（硅通孔）密度 ，每个XBM芯片的容量在0.5GB-5GB之间 ，包括一个封装基板 、HBC堆栈底部为近内存加速器单元 ，
封装尺寸与HBM 4保持一致 。以及一个堆叠的存储芯片。能够带来更高的带宽 。后端金属互连层），英特尔发布了一项关于其XBM内存的新专利 ，过去几年里 ，以便在供应短缺 、成本相比HBM4会更低。将计算与高速内存带宽结合 ，预计2030年前后实现商业化 。晶体管则移至BEOL（Back-End-Of-Line ，HBC提供了更快 、性能指标和商业化时间表来看 ，
虽然LPDDR更高效 、
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